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PECVD系统性能指标的说明

日期:2022-07-01 09:03
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摘要:
   PECVD系统薄膜制备设备,适合于半导体、集成电路、光电科学、电子信息、纳米技术等领域研究,可以在各种尺寸和形状的基底上沉积可以多种薄膜。

PECVD系统性能指标:

    1、PECVD是前段预热双温区滑轨结构,集真空系统、供气流量系统、射频源、自动推进、加热于一体,并将所有控制集成于触屏操控界面之中。

    2、PECVD电源范围:0~500 W可调,温度范围:100~1200 ℃可调,溅射区域长度:2000 mm。

    3、适用范围:金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,连续生长各种薄膜等。

    4、双温区滑轨炉:带有预热炉,*高温度为1100 ℃;

    5、等离子射频发生器:输出功率5~500 W可调;射频电源频率13.56 MHz;冷却方式为空气冷却;输入电源:208~240 VAC,50/60 Hz;

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