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  • 产品名称:CVD培育钻石设备

  • 产品型号:CY-MPCVD
  • 产品厂商:成越科仪
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简单介绍:
CVD培育钻石是一种由直径10到30纳米钻石晶体合成的多结晶钻石,它的化学成分为碳,运用先进的设备模拟大自然中钻石生长环境,通过化学气象沉积技术(CVD)栽种而成
详情介绍:

CVD培育钻石是一种由直径10到30纳米钻石晶体合成的多结晶钻石,它的化学成分为碳,运用先进的设备模拟大自然中钻石生长环境,通过化学气象沉积技术(CVD)栽种而成.

MPCVD单晶金刚石沉积设备

适合的应用:

化学气相沉积法制备高品质单晶金刚石

化学气相沉积法制备高品质多晶金刚石自支撑厚膜

化学气相沉积法制备高品质多晶金刚石薄膜

化学气相沉积法制备石墨烯、碳纳米管、富勒烯和金刚石膜等各种碳纳米薄膜

产品特点:

 

本产品为不锈钢腔体式6kw微波等离子体设备,功率密度高;

水冷式基片台和水冷式金属反映腔,保证系统能长时间稳定工作;

基片温度以微波等离子体自加热方式达到;

真空测量仪表采用全量程真空计,可**测量本底真空和工作气体压强;

真空泵及阀门采用涡轮分子泵(极限真空为1×10-5Pa)和旋片式机械真空泵(极限真空为1Pa),系统可自动控制沉积气压;

配备冷却水循环系统,确保装置高功率下可长时间安全稳定运行;

系统带15寸触摸屏,PLC自动控制,可设置温度或气压恒定,可保存复用多达20套工艺文件;

全自动工艺控制???,可以稳定可靠地制备高品质金刚石薄膜和晶体

技术指标与特性:

微波系统(法国Sairem 微波源)

微波频率

2450±25MHz

输出功率

0.6kw~6kw 连续可调

微波调谐

三销钉调配器,模式转换天线

微波反射?;?/span>

环形器,水负载

微波工作模式

TM013

微波泄漏

2 mw/cm2

真空系统

工作气压范围

10~250Torr

自动稳压范围

40~250Torr

真空泵

4.4L/s 旋片式真空泵

系统漏率

<1.0x10-9 Pa?m3 / (通过氦质谱检漏仪检测)

腔体保压能力

24 小时压升小于0.2

本底极限真空

0.1Pa7.5 x10-4 Torr)

真空测量

品牌薄膜规

真空反应腔

反应腔材料及结构

双层水冷不锈钢反应腔

真空密封

金属密封+氟胶圈密封(取样门)

反应腔内径

直径140mm

样品台窗口

105x50mm 长方形端口,带O 形氟橡胶圈密封的前门

观察窗口

两个端口,CF35 大口径,180°分布

测温窗口

两个窗口水平角度25~30°,180°分布;窗口方便从反应腔上部的

斜角向下检测样品台的温度

样品台

电动升降式水冷基片台

直径100mm,高度可调范围070mm

钼基片台直径50mm,在5000w, 180Torr 工作状态,等离子体火球可覆盖

整个基片台

基片台温度 2501400℃(取决于工艺参数)

气路

选用日本进口流量计及流量控制阀

系统自带四路MFC

四路MFC *大流速:H2: 1000sccm,CH4100sccm,O220sccm,N22sccm

测温系统

德国Raytek 红外测温系统,测温范围:300~1300 摄氏度

系统软件

配置PLC 控制的15“触摸显示屏,用户操作界面友好,所有操作均可在触摸

屏上完成

系统支持工程师和操作员两个用户级别,提供用户权限管理功能

系统自带缺水,缺气,电源缺相,火球跳变,过温过载,打火等自动?;?/span>

可设置多达10 套工艺配方,每套配方有40 行数据,生产流程通过工艺配方自

动控制,工艺数据可通过U 盘备份导出

系统自带全自动抽气,点火,升温,降温等预设流程,用户操作简便

全自动温度控制,气压控制,极大减轻系统操作员的工作量



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