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  • 产品名称:PLD脉冲激光溅射沉积设备

  • 产品型号:CY-PLD-450
  • 产品厂商:成越科仪
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简单介绍:
该PLD脉冲激光溅射沉积设备系列设备主要用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料,尤其适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。
详情介绍:

该PLD脉冲激光溅射沉积设备系列设备主要用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料,尤其适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。

PLD脉冲激光溅射沉积

二、设备概述

该设备按外观结构可分为五部分:PLD沉积室、真空测量系统、真空获得系统、工作台、电控柜组成。                      

2.1 PLD沉积室

球型真空室结构,尺寸Φ450mm,选用1Cr18Ni9Ti不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面喷玻璃丸亚光处理。真空漏率小于5.0×10-8Pa.I/S。接口密封采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封,真空室下方为Φ220的圆筒,安装到工作台面上。下方连接CF150刀口法兰,连接CF150手动插板阀。连接CF150旁抽管组件,连接620分子泵系统。真空室前方,有一带观察窗胶圈密封门,通径Φ150mm,用于进出样品及靶材更换维护。观察窗的左侧,安装旋转靶台。旋转靶台的正对面,安装样品加热台。与旋转靶台在同一水平面上,成135°角,布置两个通径Φ100mm的入射观察窗。配有红外,紫外石英各一块。在真空室上方,留有通径Φ100mm的操作,试验观察窗两个。并有CF35备用法兰口两个,用于设备的升级。真空室体安装电阻规,电离规,KF40手动予抽角阀,Φ10手动放气阀,CF35烘烤照明电极。

2.1.1        旋转靶台                     

1、每次可以装四块靶材,靶材尺寸:(i)Φ60mm~Φ25mm;

   2、每块靶材可实现自转,转速5-50转/分,连续可调,由步进电机驱动磁力耦合机构控制;

   3、靶位公转换位机构,由步进电机驱动磁耦合机构控制;

   4、靶材屏蔽罩将三块靶材屏蔽,每次只有一个靶材露出溅射成膜,以避免靶材之间的交叉污染。

2.1.2 样品加热台组件                                                       

   1、衬底尺寸:Φ60mm,可放置Φ10mm—Φ60mm样品,采用机械固定方式,通过更换衬底盖更换;

   2、样品加热,*高温度800℃±1℃;由热电偶闭环反馈控制;(如做氧化物研究可特殊制作加热器)

   3、衬底可连续回转,转速5~50转/分,步进电机驱动转轴机构完成;

   4、靶与衬底之间距离可调20-80mm,由移动衬底腔外手动波纹管调节机构完成;

2.1.3 窗口配件

1、Φ100mm石英玻璃窗口(248nm紫外波段,供激光入射用的)                 

2、Φ100mm石英玻璃窗口(红外波段)                                       

 3、Φ100mm光学玻璃窗口                                                   

2.1.4真空获得系统

配置KYKY-160/620分子泵1台,

配置2XZ-8B机械泵1台,

配置Ф40波纹管管路4根。

配置放气阀1只,   

配置KF40带放气电磁真空角阀2只,

配置KF40带充气电磁真空角阀1只,

配置CF150手动插板阀1只,

配置CF35手动角阀2只,

配置分子筛一套

2.1.5真空气路

配置七星华创26C质量流量计两路,N2气标定。100 SCCM。通过混气罐,通过手动角阀进入。

2.1.6 真空测量系统

真空测量系统由测量规管和真空计组成。该机配有直插式电阻规、金属电离规。测量真空度大气~2X10-5Pa。

2.1.7 工作台

工作台由机架、围板组成?;苁歉蒙璞傅墓羌?,安装着支撑部件。内部安装气路,水排等部件。

2.1.8 电控柜

电控柜上安装有触摸屏控制单元,流量显示仪,基片加热电源,电离电源,620L分子泵电源、总电源六部分组成。

1.真空控制单元由PLC+触摸屏控制,控制真空获得系统,样品旋转运动过程和照明系统。PLC为韩国LG产品,触屏屏为北京昆仑通泰产品,7寸彩屏。

2.基片及有机加热控制电源由导电SR3表组成。 控温精度±0.5℃。*高加热温度800℃。

3.流量显示仪 一带二,北京七星华创。

4. 电离电源用于对基片的清洗,3KW/1KW。

5. FF160/620分子泵电源控制分子泵的启停和运转情况。

6.*下面为总电源区箱,当空气开关合闸时,设备整体上电。带有相序报警。

 

三、主要技术参数:

PLD沉积室极限真空度:优于5x105Pa

PLD沉积室抽速:40分钟优于7x104Pa

PLD沉积室保压:12小时<10Pa

基片加热:800℃,控温精度: ±0.5

基片运动速度:5~50/

靶位:4位。

基片尺寸:Φ60一片。

 

、运行环境

供电:~380V三相五线制供电系统,功率<7KW

冷却水:循环量>15L/Min,冷却水温度15℃~30℃。制冷量>600W。(建议采用去离子水,独立水箱)

工作环境温度:10℃~40℃。工作环境湿度:30%~60%

占地空间:2000X2500mm

豫公网安备 41019702002438号

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