产品详情
  • 产品名称:带过渡舱型双靶磁控溅射镀膜仪

  • 产品型号:CY-MSP325G-2T-DVC-2DC
  • 产品厂商:成越科仪
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简单介绍:
本设备为双靶磁溅射控镀膜仪,可用于金属薄膜的制备,在电子领域、光学领域、特殊陶瓷制备等领域均有应用,也可实验室SEM样品制备
详情介绍:

本设备为双靶磁控溅射镀膜仪,可用于金属薄膜的制备,在电子领域、光学领域、特殊陶瓷制备等领域均有应用,也可实验室SEM样品制备。

双靶磁控溅射镀膜仪配置结构:

设备配有两支磁控靶,两套直流电源,可用于镀多层导电金属膜。同时设备具有主腔室和过渡舱两部分,过渡舱配有磁力推杆,两个舱室之间装有真空闸板阀;用户可以在主腔室进行溅射工作的同时,在过渡舱装填样品,并进行真空预抽,待主腔室溅射完成后即可将样品通过磁力推杆推入主腔室的样品台。这样的设计能够减少主腔室抽放真空的次数,不仅能有效节省时间,更能保证更好的本地真空,有效提高镀膜质量。
双靶磁控溅射镀膜仪

 双靶磁控溅射镀膜仪技术参数:


产品名称

带过渡舱型双靶磁控溅射镀膜仪

产品型号

CY-MSP325G-2T-DVC-2DCdouble vacuum chamber

安装条件

1、使用环境温度 25℃±15℃,湿度 55%Rh±10%Rh;

2、设备供电:AC220V,50Hz,必须有良好接地;

3、额定功率:5000w;

4、设备用气:设备腔室内需充注氩气清洗,需客户自备氩气,纯度 ≥99.99%;

5、摆放场地尺寸要求 1200mm×1200mm×2000mm;

6、摆放位置要求通风散热良好。

技术参数

1、 溅射电源:直流电源500W x2;*大输出电压600V,极限输出电流1000mA

2、 磁控靶:2英寸平衡靶,配磁耦合挡板;

3、 磁控靶适用靶材: φ50mm x 3mm厚导电金属靶材

4、 腔体尺寸:主腔体φ325mm x 410mm;过渡腔体150x150x150mm

5、 腔体功能:主腔体配有密封圈密封的侧开门,带挡板的石英观察窗,及转移样品用的手动操作杆。过渡腔体配有密封圈密封的带石英视窗的上盖,运送样品进主腔体的磁耦合推杆,独立的真空系统。

6、 腔体材质: 不锈钢304

7、 旋转加热样品台:转速1~20rpm  连续可调;加热温度*高500℃,升温速度推荐10/min,*高20/min。

8、 冷却方式:磁控靶及分子泵需要循环水冷机;

9、 水冷机:水箱容积9L,流速10L/min

10、 供气系统:质量流量计, 气体类型Ar气,流量1~200sccm(可定制);

11、 流量计精度:±1.5%量程

12、 真空腔体抽气接口为 CF160;

13、 进气接口为 1/4 英寸双卡套接头;

14、 显示屏为14工控电脑一体机;

15、 可调节溅射电流,可设置溅射安全电流值、安全真空值;

16、 安全?;ぃ汗?、真空过低自动切断溅射电流;

17、 真空系统:主腔体配有CY-GZK103高真空分子泵组,分子泵抽速600L/s;过渡腔体配有小型分子泵组,分子泵抽速60L/s。两组真空系统可独立工作和控制,腔室之间及真空系统内的气动阀均有程序控制,可实现一键动作,方便快捷。

18、 极限真空:5E-4Pa(搭配分子泵);

19、 真空测量为复合真空计,其量程为:10-5Pa~105Pa

注意事项

1、 为了达到较高的无氧环境,至少要用高纯惰性气体对真空腔体清洗 3 次。

2、 磁控溅射对进气量比较敏感,需要使用质量流量计控制进气量。

3、 设备不使用时应将腔体保持真空。

4、 长时间未抽真空,再次使用时应进行除气操作,以提高真空性能。

可选配件

膜厚监测仪

1、膜厚分辨率:0.0136?(铝)

2、膜厚准确度:±0.5%,取决于过程条件,特别是传感器的位置, 材料应力,温度和密度

3、测量速度:100ms-1s/次,可设置测量范围:500000?(铝)

4、标准传感器晶体:6MHz

5、适用晶片频率:6MHz 适用晶片尺寸:Φ14mm 安装法兰:CF35

其他配件

1、CY-CZK103系列高性能分子泵组(含复合真空计,测量范围10-5Pa~105Pa);

CY-GZK60系列小型分子泵组(含复合真空计,测量范围10-5Pa~102Pa

VRD-4双极旋片真空泵;

2、KF25/40真空波纹管;长度可选0.5m、1m、1.5m;KF25卡箍支架

3、膜厚仪晶振片;


豫公网安备 41019702002438号

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