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RTP快速退火炉的技术指标

日期:2022-07-08 13:25
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摘要:
 
      RTP快速退火炉可用于砷化镓、硅以及其他半导体材料,离子注入后的退火、硅化物的形成、欧姆接触制备以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP快速退火炉,快速热处理设备(RTP)具有快速升降温、慢速升降温、和长工作时间稳定等特点。也可用于各种半导体材料的CVD工艺的热处理。
      RTP快速退火炉主要技术指标
  l、外形尺寸:550×650×650mm(长×宽×高)
  2、炉内体尺寸:327×249×123mm(长×宽×高)
    3、工作室采用进口GE石英,外径尺寸:290×230×24mm(长×宽×高);表面进行磨砂处理
  4、不锈钢反应室上下反射面聚焦设计,内表面采用镀金处理,减小热损失,极大提高了反射效率
  5、水冷却,确保灯箱散热与快速降温
  6、风扇冷却保证加热灯的冷却
  7、大温度范围150℃—1000℃,K型热电偶
  8、升温速率:0.01—100℃/s可预设定
  9、气体:两路美国进口浮子流量计控制,流量:0—5L/min
  10、采用欧陆2604高精度温控仪控制温度
  11、可编程多条温度曲线
  l2、双闭环控制温度,稳态温度稳定性±1℃
  l3、光源:1200W×21只卤钨灯
  l4、电源:AC380V;63A三相
  l5、有效加热区:180×180mm
  l6、石英承片架Ф160mm;配6英寸硅片承片板




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